히스테리시스는 물리학과 공학계에서 널리 사용되는 용어이다. 이 용어는 우리말로 이력현상이라고 부른다. 이 용어는 그 의미는 단순하면서도 비슷한 모든 현상에 갖다 붙일 수 있는 말이다.
히스테리시스를 아주 쉽게 설명한다면, 어떤 값이 주기적 또는 어떤 범위를 갖고 움직였을 때, 출발지로 돌아오지 못하고 다른 값으로 떨어지는 현상을 말한다. 아마 여전히 무슨말인지 이상하게 느껴질텐데, 아래는 우리가 자석을 다룰때 쉽게 마주치는 아래와 같은 히스테리시스 곡선이다.
출처: http://phys.kookmin.ac.kr/~cskim/
이것은, 자성체가 될 수 있는 금속체에 강한 자계를 걸고나서 자계를 끊어도, 자성력이 없던 초기상태로 돌아가지 않고 자성이 남아서 결국 자석이 되는 원리를 설명하는 그래프이다. 이렇듯 처음 상태로 돌아가는 것이 아니라, 그 이전의 변화에 따라 다른 값으로 돌아가는 현상이다.
이 용어는 자석 말고 전자공학에서도, 어떤 값이 올라갈때랑 내려갈때랑 다를 때 사용되기도 한다. 대표적으로 단말기에서 이동중 전력조절을 하게 될때, Power amp등에서 low power mode와 high power mode로 모드콘트롤이 필요한 경우가 있다. 이때 전력이 점점 올라가야 할때와 점점 내려가야 할때 모드 콘트롤의 기준이 되는 전력점이 다를 수 있다. 이렇게 올라갈때랑 내려갈때랑 기준점이 다르고, 그것이 어떤 루프를 그리게 될때 히스테리시스라고도 부른다.
또한 기계공학이나 기타 공학분야에서 이러한 현상을 통털어 히스테리시스라 불리우기 때문에 일일히 예를 들자면 끝이없다. 용어가 의미하는 바만 명확히 이해하는 것이 중요하다.
[두산 대백과사전 참조]
어떤 물리량(物理量)이 그 때의 물리조건만으로는 일의적으로 결정되지 않고, 그 이전에 그 물질이 경과해 온 상태의 변화과정에 의존하는 현상.
이것이 뚜렷하게 나타나는 것에는 강자성체(强磁性體)의 자화(磁化), 탄성의 변형이 있는데, 이들을 각각 자기이력(磁氣履歷:자기히스테리시스) ·탄성이력(彈性履歷:탄성히스테리시스)이라고 한다. 이력현상이 나타나는 상태변화에 대해서는 상태변화와 이것을 일으키는 원인이 되는 물리량, 예를 들면 자화의 세기와 외부자기장, 변형과 외력과의 관계를 나타내는 곡선은 루프(loop)가 된다. 이것을 히스테리시스곡선이라 한다.
출처 :
http://rfdh.com/admin/search/search_detail.php3?pid=464&viewnumflag=1&pagenum=2&hidtxt=&abc=H
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35 | Ringing 현상 | ||||
dwkim |
33012 | 2011-11-22 | |||
Ringing 현상이란? 텔레비전 영상의 예리한 모서리 근방에서 그림자 상처럼 진동성 무늬가 보이는 현상. 전기 회로에서 과도 현상에 의해 파형의 상승 부분에서 진동이 생길 때 일어난다. ... 라고 네이버 지식사전에서. Ringing 현상에...
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33 | CAN (Controller Area Network) | ||||
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15402 | 2011-11-16 | |||
자동차 관련 부품, 장비 뿐 아니라 기타 장비에서도 많이 쓰이는 통신 방식으로서 Controller Area Network 의 줄임말.
대략적인 개요는 아래와 같습니다. 좀 더 자세한 건 첨부파일을 읽어보도록 합시다
여유가 된다면 전에 작업했던...
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32 | MOST | ||||
dwkim |
2011-11-16 | ||||
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히스테리시스 | |||||
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16861 | 2011-11-12 | |||
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30 | 오픈 드레인, 오픈 콜렉터 | ||||
dwkim |
14204 | 2011-11-12 | |||
회로 구성을 하다보면 아직도 헛갈리는 부분인데 포트가 서로 쫑나는 경우, 회로가 망가지면 뭐가 문제인지 찾기도 쉽지않다.
포트 연결을 할 때 미리 미리 대비하자.
즉, Output Port 를 여러개 연결하여 회로구성을 하는 경우 (Wir...
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29 | SPDIF | ||||
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12125 | 2011-11-11 | |||
SPDIF : Sony/Philips Digital Interconnect Format (more commonly known as Sony Philips Digital Interface) Main differences between AES3 and S/PDIF AES3 balancedAES3 unbalancedS/PDIFCabling110-ohm STP75-ohm ...
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14464 | 2011-11-11 | |||
구성USB의 가장 윗 부분에는 주 컨트롤러(host controller)가 있다. 주 컨트롤러는 루트 허브를 통해 두 개의 USB 단자를 제공한다. 보통 이 단자에 주변 기기를 연결해 사용하며, 포트가 부족하면 허브를 연결하여 더 많은 포트를 마...
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27 | 분산 스펙트럼 클럭(SSC : Spread Spectrum Clock) | ||||
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26 | 글리치(Glitch) | ||||
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25 | 바운스(Bounce) 현상 or 채터링(Chattering) | ||||
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22720 | 2011-11-09 | |||
Bounce or 채터링(chattering) 전자 회로 내의 스위치나 계전기의 접점이 붙거나 떨어질 때 기계적인 진동에 의해 실제로는 매우 짧은 시간 안에 접점이 붙었다가 떨어지는 것을 반복하는 현상. 이는 회로에 나쁜 영향을 끼치므로 제거...
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24 | 부성저항 | ||||
dwkim |
14160 | 2011-11-09 | |||
발진기를 다루다보면 꼭 나오는 용어인 이 부성저항이란 의미는 처음 들으면 당혹스러운 개념입니다. 저항이 어떻게 마이너스 값이 될 수 있을까요. 일반적으로 저항(resistance)란 개념은, 입력된 전력을 열로 소모하는 그야말로 소모성 소...
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22 | 돌입전류, Thermistor | ||||
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18739 | 2011-11-09 | |||
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21 | 기생 캐패시턴스 | ||||
dwkim |
18414 | 2011-11-09 | |||
'측정 회로의
기본 정전용량을 기생 캐패시턴스라고 하는데, 이것이 기준선이라고 하는 최소 변환 시간을 결정한다.'
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// - 위키피디아-
Parasitic capacitance
From Wikipedia,
the ...
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20 | Surge Protector ? | ||||
dwkim |
19802 | 2011-11-09 | |||
http://www.surge.co.kr/gajun.htm#Ⅲ. Surge Protector의 기준 및 적용 Ⅰ. Surge Protector 개요 전력계통의 전원선, 통신선, 신호선 등의 도체를 통하여 발생, 침입되는 과도 이상 전압을 Surge라 하며 Surge의 침입으로 인하여 전기기기,...
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19 | AEC-Q100, AEC-Q200 [1] | ||||
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54274 | 2011-11-09 | |||
AEC STANDARDS AEC-Q100-Rev-G Stress Qualification For Integrated Circuits (with test methods) respectively Revised AEC-Q101-Rev-C Stress Test Qualification For Discrete Semiconductors June 29, 2005 AEC-Q200...
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18 | I2S | ||||
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17 | I2C | ||||
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dwkim |
11753 | 2011-09-08 | |||
SD 카드는 SD 협회가 정의한 SD 속도 계열 등급을 가지고 있다. SD 속도 계열 등급은 비어있는 SDHC 카드 기준으로 다음의 최소 쓰기 속도를 지정하고 있다.: [하이스피드 모드 카드] 계열 2 (Class 2): 2 MB/초 계열 4 (Class...
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